三星海力士正在开发密度更高/速度更快/成本更低的第三代HBM

2016年08月24日 10:42 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

尽管市面上还没有太多使用高带宽显存(HBM)的产品,但这并不能阻挡三星和海力士继续开发第三代HBM芯片。在库比蒂诺召开的Hot Chips大会上,我们获知了更多有关第三代HBM的信息。Ars Technica解释到,传统内存设置多由尽可能贴近逻辑设备(CPU或GPU)的RAM芯片组成;而HBM则是彼此堆叠、通过TSVs直连的结构,然后它们会被放到逻辑芯片的封装中。

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这种封装技术科技减少设备整体所需的占地面积(看看AMD的紧凑型Fury Nano显卡就知道了),并为带宽的巨大增加而敞开了大门。

不过目前,容量和价格依然是限制其广泛采用的两大障碍。幸运的是,这些问题有望在HMB3上得到解决。

第三代HBM技术可将单片显存容量提升到16Gb(第2代HBM技术为 8Gb),并且最高支持8片堆叠——配备64GB显存的显卡将成为现实。

除此之外,HBM3所需的核心电压更低、峰值带宽也翻番(每层高达512GB/s)。唯一的“坏消息”是,我们可能还要再等几年才能用上它。

[编译自:TechSpot]

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