GlobalFoundries在FD-SOI路线图中加入了12纳米节点

2016年09月09日 10:02 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

当前,GlobalFoundries在使用14nm FinFET工艺为AMD代工“北极星”(Polaris)架构的GPU,但这只是该工厂在使用的多种制程之一。此外,GlobalFoundries也在努力整合22nm平面晶体管和全耗尽型硅绝缘工艺(FD-SOI),其自称为“22FDX”。GlobalFoundries表示,22FDX非常适合于那些想要在高性能和低成本低功耗间取得平衡的设备,尤其是需要在单芯片上整合RF、模拟、内存和逻辑设备的产品。

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显然,22FDX已经取得了很大的成功,以至于FloFo于今日宣布要为FD-SOI路线图加入一个新的节点——12nm FD-SOI(或称12FDX)。

GloFo称,12FDX能带来10-nm FinFET晶体管的性能、更好的能耗表现、以及比16-nm FinFET更低的成本。

它还强调,12FDX是一个完整的节点缩减,较今时的FinFET技术提升了15%的性能,以及低至50%的能源消耗。

该公司准备在德国德累斯顿的Fab 1工厂生产12-nm FD-SOI晶体管,预计采用新工艺的处理器会在2019年上半年面世。

How to optimize power and performance

with 22FDX™ Platform body-biasing

[编译自:TechReport , 来源:GlobalFoundries]

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