iPhone 7大容量版本可能采用TLC存储芯片

2016年09月16日 20:50 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

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根据著名拆机网站ifixit.com的拆解,显示他们拆解的这台iPhone 7 Plus 128GB版本采用了东芝的TLC闪存芯片。ifixit.com的拆解的第15步显示,他们拆解的iPhone 7 Plus采用了一颗编号为THGBX6T0T8LLFXF的东芝闪存(NAND)芯片。根据网上一份2010年的东芝NAND部件代码的解释,其中T0表示1Tbits = 128GB,而T0之后的T表示8 Level(3 bits/cell),即TLC。

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[详见 http://www.triton-prog.ru/Dnl/Nand_Toshiba_NEW.pdf 的第5页 ]

iPhone 6发布的时候,显示部分64GB和128GB版本采用了TLC,由于TLC可能存在的掉速和较低的P/E值,引起一些争论。此代iPhone 7的容量跨度更大,128GB和256GB的闪存很有可能部分采用了TLC。不过随着闪存芯片制程的降低和3D NAND技术的引入,MLC的优势和TLC的一些问题可能已经有所改观。

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