美光宣布3D闪存产量超越2D 第二代量产

2016年12月14日 16:46 次阅读 稿源:快科技 条评论

美光近日宣布,旗下3D立体堆叠的NAND闪存在产量输出上已经首次超越传统的2D平面型闪存,标志着一个新时代的到来。值得一提的是,美光这里说的产量并非晶圆数量,而是闪存容量。美光2D MLC/TLC闪存使用16nm工艺,单颗最大容量128Gb(16GB),3D MLC/TLC则分别可达256/384Gb(32/48GB),很容易超越前者。

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3D闪存并非简单的堆叠,而是使用了完全不同的工艺技术,所以对于厂商的产能调控能力考验很大。

三星、海力士、东芝等也都一直在大力投入3D闪存,尤其是作为领头羊的三星非常激进。如今市面上的主流SSD基本都已经转换到3D闪存,大势所趋不可逆转。

美光同时宣布,其第二代3D闪存也即将量产,新加坡工厂将在2016年夏天产出首批晶圆,成本比第一代降低超过30%,比2D平面型降低几乎一半。

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