韩国SK海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能

2016年12月22日 12:35 次阅读 稿源:凤凰网科技 条评论

据外媒报道,韩国SK海力士周四宣布,将在韩国和中国投资3.16万亿韩元(约合27亿美元)以提高存储芯片产能,抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商,SK海力士表示,将投资2.2万亿韩元在韩国南部新建一座NAND闪存芯片工厂,并同时投资9500亿韩元(约合7.93亿美元)提高现有中国无锡工厂的DRAM内存芯片产能。

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移动设备存储需求的增长和固态硬盘在PC、数据中心的使用已促使SK海力士对手三星电子、东芝提高在芯片生产上的投资。“为了实现进一步增长,提前确保芯片产能很重要,这样才能应对3D NAND技术引领的NAND闪存市场增长,”SK海力士在一份声明中称。

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市场研究公司IHS预计,明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元,高于今年的5.7%增速。

SK海力士股价今年已经累计上涨了大约49%,有望创下自2009年以来的最大涨幅。在周四早盘交易中,SK海力士股价上涨2%,超过了大盘指数涨幅。

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