IBM攻克5nm晶体管难题:手机续航提升3倍

2017年06月05日 15:41 次阅读 稿源:ZOL 条评论

IBM宣布,摩尔定律并未终止,5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。相比较之下,当前10nm的骁龙835仅仅集成的晶体管数量约为30亿。IBM强调,同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处,比如降低成本、提高性能,而且非常重要的一点是,5nm加持下,现有设备如手机的电池寿命将提高2至3倍。

以上图片来自于 IBM

根据早前资料,业内很多人士都表示5nm可能是物理极限。但是IBM并不这么认为,其描述的(22纳米制程芯片上的) 10纳米厚度SiBCN与SiOCN间隔介质性能如何超越SiN,以及在7纳米制程测试芯片采用6纳米厚度绝缘介质的实验。

IBM打算在14纳米制程节点(已经于GlobalFoundries生产)导入SiBCN绝缘体,而SiOCN将在7纳米节点采用;Stathis透露,IBM期望可在5纳米节点使用终极绝缘体──气隙(air gap)。

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