东芝3D闪存技术突破:容量轻松TB级、价格/功耗降低

2017年07月11日 15:48 次阅读 稿源:快科技 条评论

虽然东芝的闪存业务风雨飘摇,正在寻求出售,但技术人员却不断公布新的成果。继QLC闪存之后,东芝今天宣布全球首发了基于TSV(硅通孔)技术的3D闪存,依然基于自家BiCS架构的TLC。TSV是一种3D闪存“立体搭建”方案,这种通讯方式减少了漏电、更节省体积,相较传统的Wire Bond(金线键合)在单芯片封装后的功耗上极具优势。

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得益于TSV,东芝宣称可以做到最高48层堆叠,单芯片容量最高1TB(16die),接口速度1Gbps。

东芝表示,原型产品已经在6月出货,成品将在下半年上市。同时,业内将在8月7日开幕的闪存峰会上有幸得以近距离了解产品详情。

由此看来,今后xTB的SSD将成为市场的绝对主流,如果产能给力,在价格上进一步下探并冲击机械硬盘市场可以预见。

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