DDR4-3600起:三星量产第二代10nm级DRAM

2017年12月20日 14:01 次阅读 稿源:快科技 条评论

三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别(并不是10nm,预计是14~18nm之间)的DRAM芯片。其中,单芯片容量8Gb(1GB)。相较1x-nmm,工艺层面上,性能提升10%,功耗和封装面积减小,能效提升15%。

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同时,阵脚带宽3600Mbps起(可以理解为DDR4-3600),也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

1y-nm工艺,三星没有引入EUV,而是通过加入高灵敏度的单元数据传感系统和减少气隙实现。

与此同时,三星表示,也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态存储芯片的开发工作。

目前,AMD/Intel已经验证通过1y-nm内存。

此举还意味着,1x-nm以及更老的工艺的内存成本和最终价格将有望下探。

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