三星电子宣布投资70亿美元扩建西安存储器工厂

2018年03月29日 15:57 次阅读 稿源:环球科技 条评论

据《日本经济新闻》3月29日报道,韩国三星电子3月28日宣布向中国西安的半导体工厂投资70亿美元,把NAND型闪存产能翻一番。对韩国来说,中国是最大的半导体出口目的地。增加本地化生产彰显出三星重视中国的姿态,在保护贸易潮流加强的背景下,为避免中国出现反三星氛围而抢占先机。

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三星28日上午在中国陕西省的西安工厂举行了第2生产线的开工奠基仪式。领导半导体部门的三星社长金奇南表示,“将向客户提供最好的半导体产品”。

三星将在2018-2020年的3年里投资70亿美元,按直径300毫米的硅晶圆计算,到2020年将该工厂的月产能提高至目前2倍,达到22万枚。2014年完工的第1生产线的投资额约1.05万亿日元。

有分析认为,由于希望向中国政府彰显地产地销的姿态,三星将在此生产能使数据容量飞跃式增加的“3D垂直堆叠NAND型存储设备”。

2017年韩国向中国(包括香港)出口了664亿美元半导体, 创出历史新高。在驻韩美军部署“萨德”反导系统问题导致中韩关系恶化、韩国汽车产业等遭受打击的背景下,半导体出口仍同比大幅增长68%。这是因为中国仍缺少制造先进半导体的技术。

但中国政府最近投入巨额资金,大力培育国内半导体产业。在不远的将来,DRAM型和NAND型2大存储器市场上,中国企业有望崛起。目前三星在这2种存储器领域全球份额居首。

三星希望趁着在面对中国企业仍具有压倒性竞争力的时候,与智能手机和数据中心等存储器主要客户加深联系,巩固盈利基础。为了进行危机管理,还有必要改变存储器工厂集中于韩国的现状。

围绕NAND型闪存,全球第2大企业东芝和第3大企业美国西部数据组建了联盟。西部数据最近决定,在3年时间里向与东芝共同运营的日本生产基地投资5000亿日元。与东芝的合计投资额超过1万亿日元。

随着两大阵营同时敲定巨额投资,NAND型闪存市场的竞争将越来越激烈。另一方面,NAND型闪存存在供应过剩风险。大型企业相继展开的大型投资有可能给坚挺的行情泼下冷水。

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