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国产内存加速:紫光新基地开工 加快生产3D闪存

2018年10月13日 12:57 次阅读 稿源:快科技 条评论

紫光正在加快国产内存的脚步,之前他们曾表示,旗下DDR4芯片正在开发中,预计年底前完成并推向市场。据中新网报道称,紫光成都存储器制造基地项目已经在昨天正式开工,而赵国伟表示,这个基地未来将在投资240亿美元建设新的闪存工厂,主要生产3D NAND闪存。

按照紫光的说法,目前他们还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存,而今年年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。

相比紫光来说,2019年开始中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产内存、闪存,其中进展最快的是长江存储,其正在研发64层的3D NAND闪存,计划在2018年年底前推出样品。至于合肥长鑫、福建晋华基本将LPDDR4芯片量产时间定于2019年上半年。

另外,紫光之前还曾表示,在DRAM内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平,但是产能无法保证,产品销量不会太大。

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