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美光推进DDR5内存芯片:2019年底量产

2018年10月18日 08:56 次阅读 稿源:快科技 条评论

尽管JEDEC(固态存储协会)的DDR5标准尚未定案,Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品,并计划在2019年底量产。事实上,早在今年5月,Cadence就展示了首款DDR5内存验证模组,DRAM来自美光,接口层自研,采用台积电7nm工艺,数据率可达4400MT/s,也就是频率高达4400MHz。

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根据美光的最新说法,其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产,基于18nm以下工艺,这就意味着,搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。

按照进度,JEDEC有望年底公布DDR5最终规范,起步频率4800MHz,最高6400MHz。其它规划中的变化还有,电压降低、每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。

由于AMD要支持AM4接口到2020年,看来已经做好技术预留了?

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