联电官方回应美光指控:美光技术落后几个世代

2018年11月10日 23:14 次阅读 稿源:快科技 条评论

针对美国的“禁令”及窃取美光知识产权和机密的诉讼,上周福建晋华做出回应,称不存在窃取其他公司技术的行为。11月9日深夜,与福建晋华合作的联电也在官网发表声明,否认相关指控,并称联电此前已积累了近15年制造DRAM产品的经验,美光公司争执所涉及的DRAM技术是32纳米技术,已经落后了几个世代。

以下为联电官方声明全文:

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来,在全球的供应链上,已经成为不可或缺的一员,先进量产技术达14奈米。对比之下,美光公司争执所涉及的DRAM技术,是32奈米,在联华电子的计划启动当时,已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象,认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验,这不是事实,而且是极端的不实。从1996年到2010年,联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上,联华电子内部DRAM团队人数,超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构,藉由坚实而稳定的团队,掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。

举个例子来说,现任联华电子共同总经理之一的简山杰,是1996年时开发DRAM产品的RAM 制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一,该公司是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司,藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外,2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术,这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程,这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目,在做成决策当时,只是一个符合所有合理商业考虑的单纯商业交易,已经向台湾政府正式提出申请,主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是,那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术,履行合约义务,联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个项目的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象,联华电子的DRAM技术基础里的组件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米 DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼,但联华电子要向我们的客户和投资人保证,联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责,将全力并积极地自我防卫。

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