Coding 敏捷研发

西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

2019年02月25日 15:53 次阅读 稿源:快科技 条评论

三星S10似乎并未配备LPDDR5内存和UFS 3.0闪存,不过折叠屏Galaxy Fold则内建了512GB UFS 3.0闪存。事实上,LPDDR5由于刚刚公布正式规范,按计划2020年才会登陆消费级产品。而UFS 3.0闪存则提前不少,但可能因为成本和支持的SoC(仅骁龙855、三星Exynos 9820等)较少的缘故,大规模的普及还需要酝酿。

MWC 2019期间,Western Digital(西部数据)发布了iNAND MC EU511闪存芯片,采用96层3D NAND,符合UFS 3.0规范

性能方面,基于SmartSLC Generation 6,顺序写入速度高达750MB/s

容量方面,单芯片64GB起步,最大512GB。

此前,iNAND产品归属与SanDisk(闪迪),可以看出被西数收购后,后者要进一步强化统一化的品牌管理,机械硬盘领域的HGST(昱科)也是一样道理。

当然,UFS 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9GB/s。

访问:

京东商城

Coding

活动入口:

Coding敏捷研发 - 研发产出提升20% 5人以下小团队免费

走进Verisign - 互联网根服务器的管理者/.com的守护者

对文章打分

西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

5 (45%)
已有 条意见

    最新资讯

    加载中...

    今日最热

    加载中...

    热门评论

      Top 10

      招聘


      Advertisment ad adsense googles cpro.baidu.com
      created by ceallan