SK海力士宣布2019下半年启用第二代10nm DRAM制造工艺

2019年04月26日 08:14 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

在公布 2019 年 1 季度业绩的同时,SK 海力士也宣布了产能提升的计划。除了加大初代 10nm 制造工艺(1x nm)的产量,这家电子巨头还计划在今年下半年启用第二代 10nm DRAM 制造工艺(又名 1Y nm)。这样的策略,可保障该公司在转型期内增加 DRAM 产品的供应,最终为降低成本和推出下一代内存做好准备。

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资料图(来自:SK Hynix,via AnandTech

据悉,首批采用 SK 海力士 1Y nm 制造工艺的产品,将是其 8Gb DDR4-3200 内存颗粒。与采用 1X nm 制程的产品相比,新工艺可让 8Gb DDR4 的芯片尺寸缩小 20%、功耗降低 15% 。

此外,SK 海力士即将推出的 8Gb DDR4-3200 颗粒有两项重要的改进:4 相时钟方案、以及 Sense 放大器控制技术。

前者可提升信号强度,保障在搞数据传输速率下的稳定性;后者降低了晶体管尺寸缩小时,可能发生数据错误的可能性。

报道称,新 1Y nm 工艺不仅适用于年内增产的 DDR4 产线,也适用于 DDR5、LPDDR5、以及 GDDR6 DRAM 的制造。有鉴于此,该公司必须尽快提升二代 10nm 制造工艺。

实际上,SK 海力士向 10nm DRAM 制造工艺转进的速度,已经远远落后于美光和三星,其早就开始出货第二代 10nm 制程的产品。

自 2018 年以来,SK 海力士一直挣扎于初代 10nm DRAM 的制造,直到最近才有所缓解。让人松口气的是,该公司终于要在 2019 下半年正式出货第二代 10nm DRAM 了。

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