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全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿投资

2019年06月11日 18:56 次阅读 稿源:快科技 条评论

随着三星加快7nm EUV工艺量产,台积电领先了一年的7nm先进工艺今年会迎来激烈竞争,IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV阵营了。在先进工艺路线图上,台积电的7nm去年量产,7nm EUV工艺今年量产,海思麒麟985、苹果A13处理器会是首批用户,明年则会进入5nm节点,2021年则会进入3nm节点,最终在2022年规模量产3nm工艺。

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台积电从去年就开始启动3nm晶圆厂的建设工作,由于晶圆厂对水力、电力资源要求很高,初期的环评工作很严格,今天台湾环保部门公布了台积电3nm晶圆厂的专案初审,通过了新竹科学园区有过宝山用地的申请,这意味着台积电的3nm晶圆厂最终落地在新竹园区。

根据台积电之前的资料,整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设,耗资超过4000亿新台币,折合879亿人民币或者130亿美元。

由于摩尔定律逐渐到了物理极限,3nm被认为是最后的一代硅基半导体工艺,因为1nm节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题,三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

与三星相比,台积电并没有公布过3nm工艺的具体技术细节,预计也会改用全新结构的晶体管工艺,只不过目前尚无明确消息。

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