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Intel继续“打磨”22nm工艺 生产超强寿命RRAM芯片

2019年06月13日 21:23 次阅读 稿源:快科技 条评论

随着Intel在本月开始出货10nm工艺处理器,Intel在先进半导体工艺上将转向14nm为主、10nm加速量产及推进7nm落地。除了这些工艺之外,Intel之前还有一些工厂是生产22nm工艺的,它们也不可能完全淘汰或者升级到7nm,所以2017年Intel推出了22FFL工艺。

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22FFL是Intel结合22nm及14nm FinFET工艺开发的一种改良版工艺,FFL中的L代表Low Leakage,漏电流更低,指标位于两种工艺之间,晶体管密度为1880万晶体管/平方毫米,略好于22nm工艺,但它的优势在于功耗低,成本也低,毕竟22nm工艺量产这么多年了。

22FFL工艺不会用来生产先进处理器了,但它会在别的芯片上找到自己的位置,此前Intel宣布使用22FFL工艺生产了MRAM(磁阻RAM),现在VLSI 2019大会上,Intel又提到了22FFL工艺已经准备好生产RRAM(可变电阻RAM)。

不论是MRAM还是RRAM芯片,它们的特性都是超强性能,延迟堪比内存,而且是超长寿命及可靠性,写入次数都是上万次起的,耐高温,寿命长达10多年,但是现在的问题就是这些芯片的容量都很低,通常是256Mb、512Mb,有些能上到1Gb左右,反正相比常规的RAM及NAND还差很远。

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