三星3纳米制程领先台积电?台湾专家表示不屑

2019年08月14日 15:07 次阅读 稿源:C114中国通信网 条评论

据台湾媒体报道,三星展示了“环绕闸极”(GAA)制程技术,号称3纳米领先台积电一年。这到底是不是真的?台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍,场效电晶体(FET)是最基本的电子元件,电子流入再流出,由一个闸极开关控制电子导通代表1或不导通代表0,科学家将它制作在硅晶圆上,是数字信号的最小单位,一个FET代表一个0或一个1,就是电脑里的一个位数。

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“制程节点”代表闸极的“平均长度”,会随制程技术的进步而变小,当缩小到14纳米以下遇到问题,因此发明了“鳍式场效电晶体(FinFET)”,但是5纳米以下又遇到问题,才出现“环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲指出,GAA的原理很简单,就是增加闸极与电子通道的接触面积,可以增加控制效果减少漏电流。除了三星,各家晶圆厂早就在发展GAA,只是结构稍有不同,因为测试效果没有比FinFET好,良率又低,因此没有拿这个专有名词来“唬人”而已。

曲建仲强调,三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差异不大,这次三星讲GAA只是用专有名词来唬外行人,报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电,“只能说不是想像力太丰富,就是三星的营销比较厉害”。

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