华为布局第三代半导体材料 性能为传统硅上千倍

2019年08月26日 19:57 次阅读 稿源:雷锋网 条评论

近日,华为旗下的哈勃科技投资公司投资了山东天岳先进材料有限公司,并持股 10%。今年 4 月,华为斥资 7 亿元成立了一家投资公司,即哈勃科技投资有限公司,由华为投资控股有限公司 100% 控股;该公司经营范围主要是创业投资业务,董事长以及总经理均为白熠,而且,他还是华为全球金融风险控制中心总裁。

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上图来自山东天岳官网,图片左侧为该公司不同尺寸的碳化硅材料产品

本次接受投资的山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅企业,成立于 2011 年 12 月;目前,山东天岳投资建成了第三代半导体产业化基地,具备研发和生产优质半导体衬底材料的软硬件条件。

今年 2 月,山东天岳的碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目;据了解,该项目是济南 2019 年市级重点项目之一,总投资 6.5 亿元,总占用厂房面积为 2400 平方米,碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条。

所谓碳化硅(SiC)是碳(C)元素和硅(Si)元素形成的化合物,也是第三代半导体材料代表之一。跟传统半导体材料硅相比,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势,可以广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管(LED),以及诸如 5G 通讯、物流网等微波通讯领域,并被列入《国家中长期科学和技术发展规划纲要》。

同时,它也是目前综合性能最好(综合性能较硅材料可提升上千倍)、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。

现在正值全球 5G 网络大规模建设之际,碳化硅在这方面扮演着不可或缺的角色——大数据传输、云计算、AI 技术、物联网,包括下一步的能源传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的市场需求非常大。而硅材料的负载量已到达极限,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。

国内碳化硅材料实现量产后,将打破国外垄断,推动国内 5G 芯片技术和生产力的提升。

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