兆易创新融资43亿研发国内内存 19/17nm工艺追平三星美光

2019年10月08日 16:08 次阅读 稿源:快科技 条评论

2019年国产内存实现了0的突破,合肥长鑫前不久宣布量产10nm级DDR4内存,核心容量8Gb。除此之外,另外一家存储芯片公司兆易创新也宣布研发内存,10.1日该公司宣布融资43亿元,主要用于研发1Xnm工艺的内存芯片。

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根据兆易创新的公告,本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者,发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%,即不超过64,224,315股(含本数)。

预案显示,兆易创新本次发行募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432,402.36万元(含本数),扣除发行费用后的募集资金净额将用于DRAM芯片研发及产业化项目及补充流动资金。

募集的资金中有39.92亿元都会投入到内存研发及产业化中,主要用于研发1Xnm(19、17nm)制程工艺下的内存芯片,设计、研发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多种规格的内存

早在2017年的时候,兆易创新宣布与合肥长鑫合作,双方将投资180亿元研发国产内存,其中兆易创新方面负责筹集36亿元的资金。不过合肥长鑫量产内存时表示该项目是他们独立运营的,否认与兆易创新有关。

目前情况来看,兆易创新融资43亿元是准备自行研发DDR内存,而且制程工艺也是国际先进水平,17nm工艺目前与三星美光工艺基本持平,不过后者已经开始量产,兆易创新依然是研发阶段。

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