三星将扩建西安3D NAND芯片工厂 每月加工13万片晶圆

2019年12月18日 15:10 次阅读 稿源:TechWeb 条评论

据国外媒体报道,三星计划投资80亿美元,来扩建其位于西安的3D NAND芯片工厂,以提高NAND闪存芯片的产量。这80亿美元的投资,是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资,将用于第三次扩建工厂。 三星西安芯片工厂的扩建将使其进一步增加3D NAND的产量。目前,该工厂每月可加工12万片晶圆,扩建后将开始每月加工13万片晶圆。

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(图自:Samsung,via AnandTech

目前,三星尚未正式确认这项80亿美元的投资计划,但该公司今年早些时候表示,将在扩大西安生产设施方面采取“灵活”态度。

早在2017年的时候,该公司宣布,计划在未来三年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。

三星二期项目的总投资为150亿美元,预计于2021年下半年竣工。此前,该公司还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。

目前,三星在三个地方生产3D NAND:韩国的华城、平泽和中国的西安。自2014年以来,该公司就一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。最近,该公司在其位于平泽的工厂增加了第二条生产线,预计将于明年投产。

从技术层面来说,NAND芯片可永久保存数据,是许多计算和存储设备的一部分,可用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。随着物联网、人工智能和虚拟现实市场的蓬勃发展,它的需求预计将稳步增长。

在NAND闪存领域,三星与包括韩国SK海力士(SK Hynix)、美光科技、西部数据英特尔东芝在内的竞争对手展开激烈竞争。

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