[图]SK海力士展示DDR5 RDIMM内存:单条容量可达64GB

2020年01月09日 15:52 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

在CES 2020大展上,韩国DRAM和NAND闪存巨头SK海力士(SK Hynix)展示了最新的存储创新技术。在他们的展台上,最吸引人的莫过于“4D NAND”技术,以及首批基于该技术的消费级产品。

4D NAND作为一个概念最初于2018年8月上线,自然它没有涉及到第四维度。传统的3D NAND芯片主要使用电荷捕获型闪存堆栈,该堆栈在空间上位于外围模块旁边,该外围模块负责将所有这些CTF堆栈布线。在4D NAND中,外围块与CTF堆栈本身堆叠在一起,从而在2-D平面上节约了空间,以便用于增加密度。

在CES 2020展台上,外媒TechPowerUp发现了两款使用128层4D NAND的客户端细分硬盘--Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe。从技术角度上来说,Platinum P31和Gold P31是相同的,只是容量(也包括耐用性)上存在差异。

两者都采用PCI-Express 3.0 x4和NVMe 1.3驱动,完全使用自家硬件构造,当然主控、DRAM缓存和128层4D NAND闪存等均是由SK Hynix自己制造。

Platinum P31仅具有2 TB的容量和1,500 TBW的耐用性; Gold P31的容量为500 GB和1 TB,分别为375 TBW和750 TBW。两个驱动器均提供高达3500 MB / s的顺序读取和高达3200 MB / s的顺序写入。

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此外SK海力士还展示了最新一代的DDR5 RDIMM。 RDIMM专为下一代企业平台(例如英特尔“ Sapphire Rapids”)而设计,频率为DDR5-4800 MHz,最高可以提供64 GB的密度。

Sk海力士还提供了最新的LPDDR4X和原型LPDDR5存储解决方案,旨在为下一代5G智能手机和超便携式计算机提供澎湃动力。展台还现场演示了使用LPDDR4X解决方案和UFS 3.0存储的智能手机,利用手机的前置摄像头并立即生成4个高质量的滤镜效果(这需要巨大的处理能力和存储带宽)。

LPDDR4X已经将数据速率推向了4,667 MT / s DDR,而LPDDR5将会从5,500 MT/s起步,并且会比LPDDR4X提供更低的功耗。

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