FinFET晶体管发明人胡正明获IEEE荣誉奖章

2020年05月15日 18:05 次阅读 稿源:快科技 条评论

日前IEEE电子电器工程师协会宣布,FinFET晶体管发明人胡正明(Chenming Hu)获得了2020年的IEEE 荣誉奖章,这是IEEE协会的最高奖励,这一技术使得摩尔定律延寿了数十年。自从1965年,Intel联合创始人戈登·摩尔提出“摩尔定律”以来,半导体工艺一直按照这个规律发展,2年提升一倍的晶体管密度。

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不过摩尔定律原本应该终结了,因为按照之类的发展,传统硅基半导体工艺制造难度越来越大,特别是在28nm工艺之后。

胡正明教授在这个问题上贡献很大,他于1999年发明了FinFET晶体管,也叫鳍式晶体管或者3D晶体管,就是因为晶体管的形状与鱼鳍的相似性。

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FinFET晶体管的设计可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长,FinFET闸长已可小于25nm,未来预期可以进一步缩小至9nm,约是人类头发宽度的1万分之1。

Intel在2012年正式量产了3D晶体管技术,首发的是22nm工艺,当时台积电、三星还停留在28nm工艺上,之后在16/14nm节点上他们才进入了FinFET晶体管时代。

从这一点上来说,胡正明教授发明的FinFET技术不仅拯救了摩尔定律,Intel、AMD、NVIDIA、苹果华为、高通、三星等半导体行业的公司都受益于胡正明教授的发明。

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