传美国打压华为致3nm工艺延期半年 台积电否认

2020年06月01日 15:19 次阅读 稿源:快科技 条评论

最近半导体市场上风云波诡,美国封禁华为、全球疫情导致经济下滑等因素影响着半导体发展前景,此前有传闻称台积电因此延期先进制程工艺,其中3nm延期了半年到明年Q1季度才试产,不过官方否认了这一消息。

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台积电3nm是5nm之后的下一代节点,官方信息显示3nm工艺晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²,而5nm工艺不过是1.8亿/mm2,而3nm性能较5nm提升7%,能耗比提升15%。

工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

日前有传闻称,美国打压华为,导致先进工艺需求放缓,台积电不仅减少了7nm、5nm工艺的产能,同时3nm工艺也延期2个季度,到2021年Q3季度才会风险试产,整体进度也会因此晚上半年。

不过台积电今天否认传闻,表示一切按照计划进行,3nm工艺如期在2021年Q1季度试产,2022年下半年正式量产。

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