三星投资天价扩大存储芯片及感光元件生产规模

2020年06月01日 19:36 次阅读 稿源:威锋网 条评论

三星作为全球闪存芯片的龙头企业,近日宣布计划扩大其 NAND 闪存芯片的生产。三星计划投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能,应对因新冠疫情而扩大的生产电脑与服务器对芯片的需求。

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据SamMobile消息,新工厂在前月已开始动工,三星表示闪存芯片的需求量会因5G、人工智能以及万物互联的发展而迅速增长,而新工厂 V-NAND 芯片的量产将会在 2021 年下半年开始。分析师表示,三星会为新工厂投资 7-8 万亿韩元(约合人民币 407-465 亿),建成后,这条生产线会满足 NAND 闪存芯片的中期和长期需求。三星的平泽工业园区,已经是世界其中两条最庞大的闪存及内存芯片生产线所在地。不过,随着需求量的不断扩大,三星仍然会对其进一步投资。

在过去18年,三星一直是存储芯片领域的领导者,他们最近还官宣了最新的存储芯片技术——业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时,芯片密度更高。

三星电子存储全球营销副总裁 Cheol Choi 表示:“这次投资,再次证明了我们在存储技术领域所拥有的无可争辩的领导地位。即使在不确定的时刻,我们依然会继续为市场提供最佳的内存及闪存解决方案,同时为整个 IT 行业和经济增长做出贡献。”

至于后者,三星计划将其位于韩国京畿道华城的 DRAM 生产线的其中一条转产至生产感光元件,由于 DRAM 生产线与感光元件的生产流程有 80% 左右接近,因此用于生产 DRAM 的材料以及相关设备均可用于生产感光元件。

本次转产在新设备安装测试后,最快将在今年开始量产,而三星需要为转产花费 1 万亿韩元(约合人民币 58 亿)的成本。

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