QLC闪存三星870 QVO SSD拆解探秘:缓存外写入速度惨不忍睹

2020年07月01日 14:52 次阅读 稿源:快科技 条评论

一年半之前,三星发布了旗下首款消费级QLC闪存SSD 860 QVO,现在第二带来了,它就是870 QVO。虽然很多人对于QLC闪存非常抗拒,但正如之前的TLC,这是不可逆转的趋势,只能慢慢接受,当然厂商在涉及产品的时候也会有相应的权衡,比如QLC闪存初期就不会用于高性能NVMe SSD,而是主打主流大容量,三星870 QVO就是SATA SSD,而且首次做到了8TB。

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870 QVO的诚意还是满满的,比如V-NAND闪存从64层升级到92层,单Die容量1Tb,只需八颗就能组成一颗1TB容量的闪存芯片,同时主控也从MJX升级到MKX,不过并未公布任何技术更新、固件变化,相信只是一次小更新。

下边先看看拆解图,再了解一下性能,尤其是缓存之外的写入性能。

左右分别是4TB、1TB的电路板正反面。很显然,1TB、2TB只需一颗和两颗闪存芯片,再加一颗主控、一颗缓存就搞定了,所以PCB非常短小精悍,1TB的留了个空焊位。4TB的正反各两颗闪存芯片,补上四个空焊位那就是8TB。

即便是4TB、8TB的电路板,放在标准的2.5寸盘体内,也是很小巧。

这是三星MKX主控和LPDDR4缓存。

870 QVO系列的详细规格,1/2/4/8TB型号分别搭配1/2/4/8GB LPDDR4缓存,同时还设置了SLC缓存以提升性能,2/4/8TB的都有78GB,1TB则只有42GB。

在写入的时候,一旦用完这些SLC缓存容量,就会回归到QLC的本质,性能自然大大降低,1TB的落差尤其巨大。

根据官方数据,870 QVO系列的持续读取速度都是560MB/s,SLC缓存下的持续写入都是530MB/s,但是QLC闪存下,2/4/8TB型号的持续写入会降至160MB/s,1TB的更是只有80MB/s。

随机性能方面,1TB的读取也不受影响,但是写入损失比较大,尤其是QD32队列深度的时候,随机读写会分别降低40%、48%。

寿命上倒是保持一致,都是每天0.33次全盘写入,质保五年,最大写入量360TB、720TB、1440TB、2880TB,而一般的消费级QLC SSD只有每天0.1-0.15次,即便是五年质保写入量也不如870 QVO。

AnandTech已经对870 QVO进行了详细的测试,其他没什么意外,这里只看看缓存内外的写入情况。

QD32队列深度,128KB数据块,缓存内持续写入速度都可以达到标称的530MB/s左右,而在缓存耗尽之后,速度瞬间就跌了下来,1TB 80MB/s左右,4TB 164MB/s左右,同样完美符合标称。

好消息是,缓存耗尽之后,写入速度一直非常稳定,直到完全填满都没有再变化。

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