合肥长鑫LPDDR5内存预计2-3年内攻坚成功

2020年07月02日 14:55 次阅读 稿源:快科技 条评论

合肥长鑫公司去年9月份宣布量产国内DDR4内存芯片,总投资1500亿的国内内存项目终于开花结果了。今年以来有多款基于长鑫DDR4的国产内存上市,现在下一步目标也定了,预计2-3年内搞定LPDDR5,工艺升级到17nm以下。

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合肥长鑫所在地的安徽省日前发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件,该方案要求通过2-3年时间,重点突破一批制约产业发展的关键技术,培育一批优势产品,做强一批优势企业,不断提高制造业自主可控水平,促进制造业高质量发展。

在内存方面,文件要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发,要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求,研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化,依托DRAM  17nm及以下工艺,攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

安徽的这个文件可以说是该省内信息技术产业发展的一个大纲,希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈,实际上合肥长鑫此前也公布过类似的技术路线图,他们去年量产的内存还是第一代10nm级工艺10G1,相当于19nm工艺的DDR4技术,包括桌面级DDR4、LPDDR4等等。

长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了,预计还会有10G3、10G5工艺,目前具体水平不确定,大概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进,相当于16-19、14-16、12-14nm的水平,具体看长鑫的能力。

至于国产LPDDR5的问世时间,官方2-3年肯定是留出足够空间的,实际完成的时间应该会比这个短,类似长江存储的国产闪存那样,只要解决了第一代,后面的迭代升级会加快速度。

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